如(ru)何(he)合(he)理布(bu)局實驗(yan)室(shi)凈化工程中的無菌(jun)車(che)間

　　實驗(yan)室(shi)凈化工程中潔凈車(che)間的溫度濕(shi)度主(zhu)要(yao)是(shi)依(yi)據(ju)加工工藝(yi)規定(ding)來明(ming)確，但(dan)在(zai)考慮(lv)加工工藝(yi)規定(ding)的標準(zhun)下(xia)，應充分(fen)考慮(lv)人(ren)的舒適(shi)感(gan)感。伴隨(sui)著(zhe)實驗(yan)室(shi)凈化工程中潔凈車(che)間氣體潔凈度等(deng)級規定(ding)的提(ti)升(sheng)，出現(現)了(le)加工工藝(yi)對(dui)溫(wen)度濕(shi)度的規定(ding)也愈來愈(yu)嚴的發展(zhan)趨(qu)勢(shi)。試驗(yan)室(shi)潔凈工程實際(ji)加工工藝(yi)對(dui)溫(溫)度的規定(ding)之後也要(yao)例舉，但做為總(zong)的標準(zhun)看，因(yin)為加工精(jing)度愈來愈(yu)細(xi)致，因(yin)此對(dui)溫(溫)度起(qi)伏範疇的規定(ding)愈來愈(yu)小。比如在(zai)規模(mo)性集成電路(lu)芯片(pian)生產(chan)制造(zao)的光刻技術曝(pu)出加工工藝(yi)中，做為掩膜(mo)板原(yuan)材料(liao)的夾(jia)層玻璃與矽單(dan)晶的線(xian)膨(peng)脹(zhang)系(xi)數的差規定(ding)愈來愈(yu)小。直徑(徑)100um的矽單(dan)晶，溫(溫)度升(sheng)高1度，造(zao)成了0.24um線(xian)形(xing)澎漲(zhang)，因(yin)此務必(bi)有±0.1度的控(kong)溫(wen)，另(ling)外(wai)規定(ding)環境濕(shi)度值壹般較低(di)，由於人(ren)流汗(han)之(zhi)後(hou)，對(dui)商(shang)品(pin)將有環境汙染(ran)，非常是(shi)怕鈉的半導體(ti)材料(liao)生產(chan)車(che)間，實驗(yan)室(shi)凈化工程中潔凈車(che)間溫(溫)度不(bu)適(shi)合(he)超(chao)出25度，環境濕(shi)度過高造(zao)成的難(nan)題大量。

　　實驗(yan)室(shi)凈化工程中的無菌(jun)車(che)間，無菌(jun)車(che)間根(gen)據(ju)空氣的凈化和(he)室內空間的消毒殺(sha)菌(jun)為微(wei)生物菌(jun)種(zhong)試驗(yan)出示壹個(ge)相對(dui)性無菌(jun)檢測的辦公(gong)環境，無菌(jun)車(che)間是(shi)解(jie)決(jue)試品和(he)打疫(yi)苗塑(su)造(zao)的關鍵(jian)工作中間，應與病(bing)菌(jun)檢測操(cao)作(zuo)間(jian)緊密相連。為考慮(lv)無菌(jun)車(che)間無菌(jun)檢測規定(ding)，無菌(jun)檢測間(jian)應考(kao)慮(lv)下(xia)列(lie)合(he)理布(bu)局：

　　1.通道(dao)繞(rao)開過道(dao)，建在(zai)病(bing)菌(jun)檢測實際(ji)操(cao)作(zuo)房(fang)間內。

　　2.無菌(jun)車(che)間與緩沖間(jian)均配(pei)有紫外(wai)線(xian)殺(sha)菌(jun)燈，規定(ding)每3平(ping)方(fang)米安裝30w紫外(wai)線(xian)殺(sha)菌(jun)燈壹盞。

　　3.與操(cao)作(zuo)間(jian)用兩(liang)條(tiao)緩沖間(jian)分(fen)隔。

　　4.無菌(jun)車(che)間與操(cao)作(zuo)間(jian)中間設立兩(liang)層窗組(zu)成小安全通道(dao)。

　　5.無菌(jun)車(che)間內設立試驗(yan)臺(tai)，紫外(wai)線(xian)殺(sha)菌(jun)燈距試驗(yan)櫥(chu)櫃(gui)臺面(mian)要(yao)低(di)於1.5m。